北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院赵东艳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院申请的专利用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113887025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111088795.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统是由赵东艳;陈燕宁;刘芳;付振;王帅鹏;王凯;邓永峰;郁文;刘倩倩;潘成;林文彬设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统，属于芯片老化分析领域。所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数，然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数，在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度，使得老化仿真结果更准确。
本发明授权用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法，其特征在于，所述方法包括： 获取芯片上各器件的热网表和第一电网表，器件的热网表根据芯片的版图、封装信息、PCB板信息和空气信息仿真获取； 根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度，工作温度根据热网表进行仿真得到； 根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数； 根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数，包括： 将器件在工作温度下的器件电压和器件电流输入可靠性模型进行模拟仿真，得到该器件老化后的性能参数； 根据器件的老化后的性能参数，建立该器件老化后的第二电网表，所述第二电网表包括每个器件老化后的饱和电流、阈值电压、线性电流和跨导； 根据各器件的第二电网表进行SPICE仿真，得到所述芯片老化后的性能变化。
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