诺思(天津)微系统有限责任公司庞慰获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利带声学解耦层的半导体结构及制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114070225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010785738.9，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权带声学解耦层的半导体结构及制造方法及电子设备是由庞慰;张巍;张孟伦设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本带声学解耦层的半导体结构及制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构，包括：基底；和滤波器，所述滤波器包括多个谐振器，所述多个谐振器为体声波谐振器，其中：所述多个谐振器包括至少一个谐振器叠置单元，所述谐振器叠置单元至少包括在基底的厚度方向上在基底的同一侧叠置的第一谐振器和第二谐振器，第二谐振器在第一谐振器的上方，第一谐振器包括第一顶电极、第一压电层、第一底电极和第一声学镜，第二谐振器包括第二顶电极、第二压电层、第二底电极和第二声学镜；第一顶电极与第二底电极之间设置有空腔形式的声学解耦层，所述声学解耦层作为所述第二声学镜。本发明还涉及一种半导体结构的制造方法以及一种电子设备。
本发明授权带声学解耦层的半导体结构及制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 基底；和 滤波器，所述滤波器包括多个谐振器，所述多个谐振器为体声波谐振器， 其中： 所述多个谐振器包括至少一个谐振器叠置单元，所述谐振器叠置单元至少包括在基底的厚度方向上在基底的同一侧叠置的第一谐振器和第二谐振器，第二谐振器在第一谐振器的上方，第一谐振器包括第一顶电极、第一压电层、第一底电极和第一声学镜，第二谐振器包括第二顶电极、第二压电层、第二底电极和第二声学镜； 第一顶电极与第二底电极之间设置有空腔形式的声学解耦层，所述声学解耦层作为所述第二声学镜； 其中： 所述滤波器包括第一滤波器和第二滤波器，所述多个谐振器分属于第一滤波器和第二滤波器； 第一滤波器的至少一个谐振器与第二滤波器的至少一个谐振器，以一个谐振器在上而另一个谐振器在下的方式，彼此电学隔离设置且构成至少一个谐振器叠置单元。
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