台湾积体电路制造股份有限公司陈韦志获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110765667.0，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权半导体器件及其制造方法是由陈韦志;胡毓祥;郭宏瑞;廖思豪设计研发完成，并于2021-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了钝化层和导电通孔，其中在钝化层的材料内，成像能量的透射率增加。透射率的增加允许更大的交联，这有助于增加对在钝化层内形成的开口的轮廓的控制。一旦形成开口，就可以在开口内形成导电通孔。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成再分布层； 将第一介电材料施加至所述再分布层和所述衬底，其中，所述第一介电材料对第一能量的透射率大于0.5％，所述第一介电材料包括： 具有以下结构的第一光敏组分化合物： ； 具有至少两个环的第二光敏组分化合物，所述第二光敏组分化合物具有以下结构： ；以及 用所述第一能量对所述第一介电材料进行成像。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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