中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王媛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010819889.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王媛;王楠设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层，以及覆盖源漏掺杂层的层间介质层，以栅极结构的延伸方向为横向；在层间介质层上形成牺牲层，牺牲层具有第一侧壁，第一侧壁位于第一区域和第二区域的交界面；在牺牲层的第一侧壁上形成侧墙层，侧墙层的横向尺寸小于牺牲层的横向尺寸，侧墙层的横向尺寸较小，以侧墙层为掩膜形成的阻断结构的横向尺寸较小，阻断结构易完全露出第一区域和第二区域中的源漏掺杂层，使得形成在凹槽中的源漏插塞与源漏掺杂层的接触面积较大，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层，以及覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层，所述栅极结构的延伸方向与所述第一区域和第二区域的交界面相垂直，以所述栅极结构的延伸方向为横向； 在所述层间介质层上形成牺牲层，所述牺牲层具有第一侧壁，所述第一侧壁位于所述第一区域和第二区域的交界面； 在所述牺牲层的所述第一侧壁上形成侧墙层，所述侧墙层的横向尺寸小于所述牺牲层的横向尺寸； 去除所述牺牲层； 以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述层间介质层，形成阻断结构和位于所述阻断结构两侧的凹槽，所述阻断结构完全露出所述第一区域和第二区域中的源漏掺杂层，所述凹槽露出所述源漏掺杂层； 在所述凹槽中形成源漏插塞。
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