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龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114123372B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007662.8，技术领域涉及：H02J7/50；该发明授权充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种充放电开关电路，用于对电池电池的充电电流和或放电电流进行控制，包括：第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管，第二MOS晶体管，第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管，以及开关，开关的一端连接第二MOS晶体管的栅极，开关的另一端连接第二MOS晶体管的源极，以便当第一MOS晶体管关断的情况下，开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。还提供了一种充放电控制装置、芯片及电池管理系统。

本发明授权充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统在权利要求书中公布了：1.一种充放电开关电路，用于对电池电池的充电电流和或放电电流进行控制，其特征在于，包括： 低耐压型MOS晶体管，所述低耐压型MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断，所述低耐压型MOS晶体管的源极或者漏极连接电池侧； 高耐压型MOS晶体管，所述高耐压型MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断，所述高耐压型MOS晶体管的源极或者漏极连接外部负载或外部充电器侧，所述高耐压型MOS晶体管的漏极或者源极与所述低耐压型MOS晶体管的漏极或者源极连接； 开关，所述开关的一端连接所述高耐压型MOS晶体管的栅极，所述开关的另一端连接所述高耐压型MOS晶体管的源极，所述开关的一端还连接第一电阻的一端或第二高压保护二极管的负端，所述开关的另一端还连接第一电阻的另一端或第二高压保护二极管的正端， 当所述低耐压型MOS晶体管关断的情况下，所述开关导通以使得所述高耐压型MOS晶体管在所述低耐压型MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述低耐压型MOS晶体管关断的同时进行关断，从而经由导通的所述开关使得所述高耐压型MOS晶体管的寄生电容快速放电； 所述低耐压型MOS晶体管的源极与漏极之间连接有高压保护二极管； 所述低耐压型MOS晶体管的导通阻抗小于所述高耐压型MOS晶体管的导通阻抗； 所述充放电开关电路还包括第二电阻，所述开关为开关用NMOS晶体管，所述第二电阻的一端连接所述开关用NMOS晶体管的栅极并且所述第二电阻的另一端连接所述开关用NMOS晶体管的源极，所述开关用NMOS晶体管的栅极连接电流信号，所述开关用NMOS晶体管的漏极连接高耐压型MOS晶体管的栅极，所述开关用NMOS晶体管的源极连接所述高耐压型MOS晶体管的源极； 当需要关断高耐压型MOS晶体管时，所述电流信号被提供，通过在所述第二电阻上形成的电压使得所述高耐压型MOS晶体管被快速关断。

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