中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011065279.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域上形成有堆叠结构，第一区域、第二区域的堆叠结构以及衬底构成第一开口；在第一开口底面和侧壁形成第一介电层，第一介电层之间具有第二开口；在第二开口中形成第二介电层；形成源漏掺杂层；去除源漏掺杂层和第二介电层之间的第一介电层，形成露出源漏掺杂层中靠近第二介电层的侧壁的凹槽；在凹槽中形成接触插塞。本申请实施例所述接触插塞与源漏掺杂层的顶面、以及源漏掺杂层靠近所述第二介电层的侧壁和远离所述第二介电层的侧壁接触，接触插塞和源漏掺杂层的接触电阻较小，使得半导体结构的电学性能好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相间隔的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域上形成有堆叠结构，所述第一区域的堆叠结构和第二区域的堆叠结构之间形成有第一开口； 在所述第一开口的侧壁上形成第一介电层，所述第一介电层之间具有第二开口； 在所述第二开口中形成第二介电层； 形成所述第二介电层后，在所述堆叠结构中形成源漏掺杂层和覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层； 刻蚀所述层间介质层，形成沟槽，所述沟槽露出所述源漏掺杂层的顶面和远离所述第二介电层的侧壁； 形成所述沟槽后，去除所述源漏掺杂层和第二介电层之间的所述第一介电层，形成凹槽； 在所述沟槽和凹槽中形成接触插塞。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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