芯盟科技有限公司刘藩东获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643729.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法是由刘藩东;华文宇设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提出了一种晶体管阵列及其制造方法，其中，所述晶体管阵列，包括：分别沿第一方向和第二方向排列的多个具有两个分支部的U型有源柱；其中，每一所述U型有源柱包括：沟道区；源极，位于所述沟道区的第一端；漏极，位于所述沟道区的第二端，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述沟道区在第三方向上相对的两端，所述第三方向与用于形成所述晶体管阵列的衬底的表面垂直；所述第一方向与所述第二方向构成的平面垂直于所述第三方向；多个栅极结构，每一所述栅极结构位于沿第一方向排布的两个相邻U型有源柱之间；以及，多个相互电绝缘的连接部，每一所述连接部将与相应栅极结构物理接触的两个U型有源柱的两个相邻分支部电连接。
本发明授权晶体管阵列及其制造方法、存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管阵列，其特征在于，包括： 分别沿第一方向和第二方向排列的多个具有两个分支部的U型有源柱；其中，每一所述U型有源柱包括： 沟道区； 源极，位于所述沟道区的第一端； 漏极，位于所述沟道区的第二端，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述沟道区在第三方向上相对的两端，所述第三方向与用于形成所述晶体管阵列的衬底的表面垂直；所述第一方向与所述第二方向构成的平面垂直于所述第三方向； 多个栅极结构，每一所述栅极结构位于沿第一方向排布的两个相邻U型有源柱之间；以及， 多个相互电绝缘的连接部，每一所述连接部将与相应栅极结构物理接触的沿所述第一方向排布的两个有源柱的两个相邻分支部电连接，形成一个完整的源极或漏极。
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