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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420837B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060081.9，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法是由张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOT‑MRAM磁隧道结的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上依次层叠形成SOT层、自由层、隧道结阻挡层、参考层、钉扎层、覆盖层、硬掩模层；光刻，图形化硬掩模层；以接近法向的入射角进行逐层刻蚀，直到参考层被完全刻蚀；以更大的入射角度进行清理刻蚀，去除侧壁上的再沉积物，直到隧道结阻挡层被全部刻蚀；进行侧壁钝化处理；重复步骤S4和S5，直到SOT层上表面自由层完全被刻蚀为止，最终形成SOT‑MRAM磁隧道结结构。本发明通过SOT层上的刻蚀及侧壁清理，减少或避免MTJ的金属再沉积造成的短路和损伤；增加侧壁钝化处理过程，进一步消除侧壁导电物引起的短路问题，提高良品率及可靠性。

本发明授权一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：提供一衬底，在衬底上依次层叠形成SOT层、自由层、隧道结阻挡层、参考层、钉扎层、覆盖层、硬掩模层； 步骤S2：在硬掩模层上进行光刻，通过刻蚀、去胶，图形化硬掩模层； 步骤S3：对待刻蚀件以接近法向的入射角进行逐层离子束刻蚀，直到参考层被完全刻蚀，隧道结阻挡层被轻微蚀刻时为蚀刻终点，停止刻蚀，所述接近法向的入射角为与法向的夹角0°~30°； 步骤S4：以比步骤S3中所述的入射角更大的入射角对上述刻蚀件进行离子束清理刻蚀，减少、去除侧壁上的再沉积物，刻蚀清理的终点为隧道结阻挡层被全部刻蚀以及自由层部分被刻蚀，所述更大的入射角为与法向的夹角大于所述接近法向的入射角； 步骤S5：施加偏置功率，通入工艺气体，对步骤S4中刻蚀后的侧壁进行钝化处理； 步骤S6：对所述钝化处理后的刻蚀件重复步骤S4和S5，直到位于SOT层上表面的自由层被完全刻蚀为止，进行侧壁钝化，形成SOT-MRAM磁隧道结结构。

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