中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司韩秋华获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011189563.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩秋华设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的分立的鳍部，以及填充相邻的所述鳍部之间的鳍部沟槽的遮挡层；以所述遮挡层为掩膜，对所述鳍部进行离子注入，形成阱区；去除第一高度的遮挡层，形成剩余遮挡层，所述剩余遮挡层的顶面低于所述鳍部的顶面。本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，由于在对包括所述剩余遮挡层的所述基底进行热处理之前，先去除了第一高度的遮挡层，使得在热处理过程中，与被去除的遮挡层平行的部分鳍部，不会受到之前与其平行的部分遮挡层的内应力的影响，从而可以提高所得到的半导体器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的分立的鳍部，以及填充相邻的所述鳍部之间的鳍部沟槽的遮挡层；其中，所述基底还包括至少覆盖所述鳍部的侧壁的隔离层和覆盖所述隔离层的保护层，所述遮挡层填充相邻所述保护层之间的鳍部沟槽；所述保护层的材料与所述遮挡层的材料不同； 以所述遮挡层为掩膜，对所述鳍部进行离子注入，形成阱区； 去除第一高度的遮挡层，形成剩余遮挡层，所述剩余遮挡层的顶面低于所述鳍部的顶面； 对包括所述隔离层、所述保护层和所述剩余遮挡层的所述基底进行热处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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