京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司樊萌月获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114447029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011118923.9,技术领域涉及:H10K59/131;该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由樊萌月;陈文波;杨中流;张兵;陈祯祐;赵爽设计研发完成,并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了:一种显示基板包括:显示区域和位于显示区域周边的外围区域。外区区域设置有扫描驱动电路。显示区域设置有多个子像素、与扫描驱动电路连接并沿着第一方向延伸的多个第一信号线。显示区域包括:基底以及依次设置在基底上的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极。第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,第一信号线接触第一导电层通过第一过孔暴露的晶体管的控制极。
本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示基板,其特征在于,包括:显示区域和位于显示区域周边的外围区域,所述外围区域设置有扫描驱动电路,所述显示区域设置有多个子像素、与所述扫描驱动电路连接并沿着第一方向延伸的多个第一信号线; 所述多个子像素中的至少一个子像素包括:发光元件以及用于驱动发光元件发光的驱动电路,所述驱动电路包括多个晶体管和存储电容; 所述显示区域包括:基底以及依次设置在所述基底上的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层; 所述半导体层包括:多个晶体管的有源层; 所述第一导电层包括:多个晶体管的控制极和存储电容的第一电极、以及多个发光控制线; 所述第二导电层包括:所述存储电容的第二电极; 所述第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极;所述第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,所述第一信号线接触所述第一导电层通过所述第一过孔暴露的晶体管的控制极;所述第一信号线包括:扫描线和复位信号线;所述第三导电层的材料不同于所述第一导电层的材料,所述第三导电层包括:钛、铝和钛形成的三层堆叠结构; 所述第一信号线在所述基底上的正投影与所述第一信号线连接的晶体管的控制极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
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