中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011189529.4，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有沟道鳍部，基底上还形成有横跨沟道鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖沟道鳍部的部分顶部和部分侧壁，栅极结构的侧壁上形成有侧墙层，侧墙层具有背向栅极结构的外侧壁；以侧墙层作为刻蚀掩模，在栅极结构两侧的沟道鳍部中形成源漏凹槽，源漏凹槽的侧壁相对于外侧壁沿朝向栅极结构的方向凹进；在源漏凹槽中形成源漏掺杂层。本发明实施例扩大了源漏凹槽的空间，相应为形成源漏掺杂层提供了更大的空间，因此形成了体积更大的源漏掺杂区，从而为沟道带来了更大的应力，进而提高了半导体结构的性能，例如，改善了沟道效应和反沟道效应。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 沟道鳍部，位于所述基底上； 栅极结构，横跨所述沟道鳍部，且覆盖所述沟道鳍部的部分顶部和部分侧壁； 侧墙层，位于所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙层具有背向所述栅极结构的外侧壁； 源漏凹槽，位于所述栅极结构两侧的所述沟道鳍部中，所述源漏凹槽的部分侧壁相对于所述外侧壁沿朝向所述栅极结构的方向凹进、且其余部分侧壁未相对于所述外侧壁沿朝向所述栅极结构的方向凹进； 源漏掺杂层，位于所述源漏凹槽中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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