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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种双模式多通道交叉波导获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114460686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210242766.5，技术领域涉及：G02B6/125；该发明授权一种双模式多通道交叉波导是由马汉斯;罗鸣宇;高慧琴;杨俊波;方粮设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双模式多通道交叉波导在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双模式多通道交叉波导，包括包括衬底，所述衬底以上设有顶层硅，所述顶层硅包括呈正2N边形的优化区和N个交叉的通道，N≥3，所述通道的中心线沿正2N边形的边的垂直平分线设置，所述优化区沿正2N边形的对称轴被划分为4N个对称区，所述对称区上开设有空气孔，通过调整所述对称区上空气孔的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指每个通道支持两种不同模式光传输；本发明提供的双模式多通道交叉波导尺寸小，性能好，能实现两种不同模式在任意通道传输的交叉功能，进一步增加光互连系统的传输容量。

本发明授权一种双模式多通道交叉波导在权利要求书中公布了：1.一种双模式多通道交叉波导，其特征在于：包括衬底，所述衬底以上设有顶层硅，所述顶层硅包括呈正2N边形的优化区和N个交叉的通道，N≥3，所述通道的中心线沿正2N边形的边的垂直平分线设置，所述优化区沿正2N边形的对称轴被划分为4N个对称区，所述对称区上开设有空气孔，通过调整所述对称区上空气孔的状态，形成一个满足预定输出目标的非周期性打孔阵列，所述输出目标是指每个通道支持两种不同模式光传输； 所述空气孔的状态为填充硅或空气； 所述空气孔为圆形孔和腰型孔； 所述衬底的厚度为3μm，顶层硅的厚度为220nm，所述优化区为正六边形，所述通道的宽度为900nm，优化区的两条平行边的间距为5640nm，任意三个空气孔中心的连线为正三角形，所述正三角形的边长为150nm，所述腰型孔的圆弧直径为90nm，腰型孔的直线边长为30nm，所述圆形孔的直径为90～120nm； 设于优化区的对称轴上的所述腰型孔，其对称轴与所在优化区的对称轴重合； 所述两种不同模式为自1540nm到1560nm波段TE0模式和自1540nm到1560nm波段TE1模式。

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