中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司徐锦心获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496734B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153434.7，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权半导体结构的形成方法是由徐锦心;王楠设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二沟槽区和隔离区，暴露所述第一沟槽区；形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一沟槽区的基底，以及所述第二沟槽区和所述隔离区的阻挡层；以所述阻挡层和所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一沟槽；形成覆盖所述第一沟槽和所述隔离区，且暴露所述第二沟槽区的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二沟槽。所述方法降低了半导体结构形成工艺的工艺复杂度和工艺精度。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向交错排布的第一沟槽区和第二沟槽区，以及位于所述第一沟槽区和所述第二沟槽区之间的隔离区；其中，所述第一方向，为所述沟槽区的延伸方向；所述第一沟槽区和所述第二沟槽区用于形成导电沟槽； 在所述基底上形成图形化的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第二沟槽区和隔离区，暴露所述第一沟槽区； 形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一沟槽区的基底，以及所述第二沟槽区和所述隔离区的阻挡层； 以所述阻挡层和所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第一沟槽； 形成覆盖所述第一沟槽和所述隔离区，且暴露所述第二沟槽区的第二掩膜层； 以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底，形成第二沟槽。
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