中电科技(北京)股份有限公司陈小春获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科技(北京)股份有限公司申请的专利一种Flash芯片数据区域动态共享系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114510375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111670996.3，技术领域涉及：G06F11/1446；该发明授权一种Flash芯片数据区域动态共享系统及方法是由陈小春;张超;朱立森;孙亮;李通;易祝兵设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Flash芯片数据区域动态共享系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Flash芯片数据区域动态共享系统及方法，属于计算机固件技术领域。系统包括BIOS核心框架、共享存储部件和动态共享存储区，BIOS通过BIOS核心框架加载共享存储部件运行，共享存储部件能够根据本次计算机启动的需求，动态地使用共享存储区，进行BIOS升级备份和BIOS日志记录。本发明能够在计算机主板BIOS空间受限的情况下，通过对SPIFlash划分动态存储区，解决BIOS存储BIOS备份、BIOS日志的问题。
本发明授权一种Flash芯片数据区域动态共享系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种Flash芯片数据区域动态共享系统，其特征在于，系统包括BIOS核心框架、共享存储部件和动态共享存储区，BIOS通过BIOS核心框架加载共享存储部件运行，共享存储部件能够根据本次计算机启动的需求，动态地使用动态共享存储区，进行BIOS升级备份和BIOS日志记录；所述共享存储部件包括策略模块、日志记录模块、备份恢复模块和刷写模块；所述策略模块、日志记录模块、备份恢复模块和刷写模块通过BIOS核心框架加载和运行；在BIOS运行过程中，BIOS将根据策略模块中的当前策略，对BIOS进行备份操作或记录BIOS日志；备份恢复模块能够调用刷写模块，在动态共享存储区存储BIOS备份镜像；日志记录模块能够调用刷写模块，在动态共享存储区存储BIOS日志； 所述策略模块中定制了可进行的动态共享存储区操作类型和上次操作类型的变量，操作类型包括BIOS备份操作、BIOS日志写入，上次操作类型的变量用于后续操作中，判断是否需要清空动态共享存储区。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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