深圳市时代速信科技有限公司朱树华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市时代速信科技有限公司申请的专利一种共源共栅晶体管封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210127908.3，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种共源共栅晶体管封装结构是由朱树华;徐显修设计研发完成，并于2022-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种共源共栅晶体管封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种共源共栅晶体管封装结构，涉及半导体技术领域，包括常断型晶体管、常通型晶体管、封装框架以及并排设置于封装框架内的第一基板和第二基板，常断型晶体管的底面贴装于第一基板，常通型晶体管底面贴装于第二基板，常断型晶体管包括位于顶面的第一源极和第一漏极、以及位于底面的第一栅极，常通型晶体管包括位于顶面的第二源极、第二漏极和第二栅极，第一源极与第二栅极连接，第一漏极和第二源极连接。因此，可以有效缩短第一源极和第二栅极连接时的打线距离，缩短第一漏极和第二源极连接时的打线距离，进而有效降低因级联所产生的寄生电感，同时，也能够方便打线，降低打线难度和复杂度，从而降低封装成本。
本发明授权一种共源共栅晶体管封装结构在权利要求书中公布了：1.一种共源共栅晶体管封装结构，其特征在于，包括常断型晶体管、常通型晶体管、封装框架以及并排设置于所述封装框架内的第一基板和第二基板，所述常断型晶体管的底面贴装于所述第一基板，所述常通型晶体管底面贴装于所述第二基板，所述常断型晶体管包括位于顶面的第一源极和第一漏极、以及位于底面的第一栅极，所述常通型晶体管包括位于顶面的第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第一源极与所述第二栅极连接，所述第一漏极和所述第二源极连接； 所述常通型晶体管还包括连接所述第二栅极和所述第二基板的垂直互联结构。
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