深圳市晶存科技有限公司宋文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶存科技有限公司申请的专利DRAM测试方法、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114528164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210046739.0，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权DRAM测试方法、电子设备和存储介质是由宋文杰设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM测试方法、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。
本发明授权DRAM测试方法、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚； 根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化； 测试所述DRAM的第一个RANK； 待测试完成后，配置DRAM控制器的DRAM寄存器，使所述DRAM控制器进入自刷新模式，以拉低第二个RANK的时钟使能引脚； 配置所述DRAM控制器的CKE寄存器，以同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选引脚由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试； 待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。
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