台湾积体电路制造股份有限公司赖韦安获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210069452.X，技术领域涉及：H10D84/90；该发明授权集成电路及其形成方法是由赖韦安;彭士玮;邱德馨;曾健庭;王中兴设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：一种集成电路包括位于衬底上的第一类型有源区域结构、第二类型有源区域结构以及多个栅极导体。该集成电路还包括位于衬底下方的背侧第一导电层中的背侧水平导线、位于背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中的背侧垂直导线以及用于电路单元的引脚连接件。引脚连接件直接连接在背侧水平导线和背侧垂直导线之间。背侧水平导线跨越电路单元的垂直边界延伸。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 第一类型有源区域结构与第二类型有源区域结构，位于衬底上并且在第一方向上延伸； 前侧第一层导线，位于所述衬底之上的第一连接层中； 多个栅极导体，位于所述第一连接层下方并且在第二方向上延伸，并且其中，两个相邻的栅极导体分隔开间距距离，所述间距距离等于接触多晶间距； 电路单元，具有在垂直于所述第一方向的所述第二方向上延伸的第一垂直边界和第二垂直边界，其中，所述第一垂直边界和所述第二垂直边界中的每个跨越至少一个边界隔离区域，并且其中，沿着所述第一方向的所述第一垂直边界和所述第二垂直边界之间的距离小于或等于三个所述接触多晶间距； 背侧水平导线，位于所述衬底下方的背侧第一导电层中并且在所述第一方向上延伸，其中，所述背侧水平导线跨越所述电路单元的所述第一垂直边界延伸； 背侧垂直导线，位于所述背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中并且在所述第二方向上延伸，其中，所述背侧垂直导线与所述第一垂直边界对准，其中，所述衬底的前侧和背侧在第三方向上相对，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；以及 引脚连接件，用于所述电路单元，直接连接在所述背侧水平导线和所述背侧垂直导线之间。
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