买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210195669.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法是由姜怡雯;宋金星设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法，其中，屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括：提供基底，并于基底内形成初始沟槽；于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层；对基底继续进行刻蚀，以于初始沟槽底部形成第一沟槽；于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层；去除第一牺牲保护层，且对基底继续进行刻蚀，以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽；形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，屏蔽栅极形成于第一沟槽内，控制栅极形成于第二沟槽内，隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间，控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时，有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。

本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，并于所述基底内形成初始沟槽； 于所述初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层； 对所述基底继续进行刻蚀，以于所述初始沟槽底部形成第一沟槽； 通过炉管法，于所述第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层； 去除所述第一牺牲保护层，且对所述基底继续进行刻蚀，以将所述初始沟槽扩展而形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁倾斜，且所述第二沟槽的沟槽倾斜角度大于所述第一沟槽的沟槽倾斜角度； 形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，所述屏蔽栅极形成于所述第一沟槽内，所述控制栅极形成于所述第二沟槽内，所述隔离结构形成于所述屏蔽栅极与所述控制栅极之间，所述控制栅介质层形成于所述控制栅极与所述第二沟槽的侧壁之间；所述隔离结构位于所述第一沟槽内； 所述形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，包括： 于所述第二沟槽侧壁形成第二牺牲保护层；所述第二牺牲保护层的厚度小于所述屏蔽栅介质层的厚度，于具有所述第二牺牲保护层的所述第二沟槽以及具有所述屏蔽栅介质层的所述第一沟槽内沉积屏蔽栅材料层，且对所述屏蔽栅极材料层进行回刻，以于所述第一沟槽内形成屏蔽栅极； 于所述屏蔽栅极上形成隔离结构，所述隔离结构不覆盖位于所述第二沟槽侧壁的所述第二牺牲保护层； 于第二沟槽的侧壁表面形成控制栅介质层； 于所述第二沟槽内形成控制栅极； 于所述控制栅极与所述第二沟槽的侧壁之间形成控制栅介质层之前，还包括： 去除所述第二牺牲保护层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。