高端电子有限公司林世宏获国家专利权
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龙图腾网获悉高端电子有限公司申请的专利半导体组件的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114624557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110727802.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体组件的测试方法是由林世宏设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体组件的测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体组件的测试方法，主要步骤包括利用黄光制程制作一线路重布层于待测的半导体组件上，接着测试探针不直接接触待测的半导体组件，而是接触线路重布层以进行测试，最后以干、湿或机械研磨制程将此线路重布层移除。本发明可提高对半导体组件的测试速度，降低测试成本，且在测试完成后不在半导体组件上留下测试针痕。
本发明授权半导体组件的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体组件的测试方法，其特征在于，所述半导体组件以阵列形式排列在芯片的基板上，所述阵列具有半导体组件列和半导体组件行，其中每个半导体组件包括第一金属焊垫和第二金属焊垫，所述测试方法包括： 1在待测的所述芯片上涂布一第一光阻层； 在所述第一光阻层进行第一贯孔开口制作； 在所述芯片上的所述第一贯孔内及所述第一光阻层表面上，镀上一金属种子层； 在所述金属种子层上涂布一第二光阻层； 在所述第一贯孔上的所述第二光阻层进行第二贯孔开口制作； 在裸露的所述金属种子层上电镀一铜柱层； 移除所述第二光阻层；以及 移除所述第一光阻层表面上裸露的所述金属种子层； 以此在所述芯片上制作至少一线路重布层； 2以探针卡测试所述芯片上的所述半导体组件阵列，其中，所述探针卡上的探针不直接接触所述半导体组件，而是接触所述线路重布层以进行测试；以及 3移除所述芯片上的所述线路重布层； 其中，所述半导体组件的长度介于2µm至150µm，宽度介于2µm至150µm，且所述探针卡上的探针之间的间距大于所述半导体组件上的所述第一金属焊垫与所述第二金属焊垫之间的间距。
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