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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利多裸片半导体器件的制造方法及相应的多裸片半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111543014.4，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权多裸片半导体器件的制造方法及相应的多裸片半导体器件是由P·克雷马设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本多裸片半导体器件的制造方法及相应的多裸片半导体器件在说明书摘要公布了：在一种制造多裸片半导体器件的方法中，金属引线框包括裸片焊盘和围绕裸片焊盘被布置的导电引线。第一和第二半导体裸片被布置在裸片焊盘上。激光可激活材料被放置在裸片和引线上，并且激光激活线组被图案化，包括将裸片的选定接合焊盘耦合到选定引线的第一子组、将选定的接合焊盘相互耦合的第二子组、以及将第二子组中的线耦合到第一子组中的至少一个线的第三子组。第一金属层被沉积到激光激活线路上，以提供第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组。第二金属层通过电镀选择性地沉积到第一子组和第二子组上，以提供第一导电轨道子组和第二导电轨道子组。第三子组中的导电线被选择性地移除。

本发明授权多裸片半导体器件的制造方法及相应的多裸片半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造多裸片半导体器件的方法，包括： 将半导体裸片组布置在金属引线框的裸片焊盘上，所述半导体裸片组包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的相对于所述裸片焊盘的前表面处各自具有接合焊盘组； 在所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片和围绕所述裸片焊盘布置的所述金属引线框的导电引线组上形成激光可激活材料层； 将激光辐射引导在所述激光可激活材料层上，以将激光激活线组图案化，其中所述激光激活线组包括： i第一激光激活线子组，被配置为将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的一个或多个半导体裸片的选定接合焊盘耦合到在所述导电引线组中的选定导电引线； ii第二激光激活线子组，被配置为将所述第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述第二半导体裸片的选定接合焊盘；以及 iii第三激光激活线子组，被配置为将所述第二激光激活线子组中的每个激光激活线耦合到以下一项或多项：所述第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、以及所述导电引线组中的至少一个导电引线； 将第一金属层沉积在所述第一激光激活线子组、所述第二激光激活线子组和所述第三激光激活线子组上，以提供相应的第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组； 通过电镀将第二金属层选择性地沉积在所述第一导电线子组和所述第二导电线子组上、但不沉积在所述第三导电线子组上，以提供相应的第一导电轨道子组和第二导电轨道子组；以及 选择性地移除所述第三导电线子组。

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