长电集成电路(绍兴)有限公司丁晓春获国家专利权
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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利功率芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210156478.8，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权功率芯片封装结构及其制备方法是由丁晓春;李宗怿;倪洽凯;刘籽余;柳坤设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供功率芯片封装结构及其制备方法，所述方法包括：提供一功率芯片，在所述功率芯片的有源面上制备导电互联结构；提供一封装基板，通过导电互联结构使所述功率芯片和所述封装基板进行电连接，制备得到预封装体；对所述预封装体进行塑封，制备得到塑封层和基面；在所述基面上制备金属层；提供一面带有散热翅片的散热底座，将所述散热底座与所述金属层进行热压融合，得到具有金属焊接层的功率芯片封装结构；解决了现有技术中的功率芯片封装结构存在散热效果差的问题，通过金属层和金属焊接层来连接散热翅片的散热底座和功率芯片，利用金属材料的高导热系数来迅速分散功率芯片产生的热量，从而提高了功率芯片的散热效果。
本发明授权功率芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一功率芯片，在所述功率芯片的无源面上通过外延生长一层晶体硅层；在所述功率芯片的有源面上制备导电互联结构； 提供一封装基板，通过导电互联结构使所述功率芯片和所述封装基板进行电连接，制备得到预封装体，其中所述预封装体包括功率芯片、导电互联结构和封装基板； 对所述预封装体进行塑封，制备得到塑封层和基面，其中所述基面为所述塑封层的顶面与所述晶体硅层共面的面； 在所述基面上制备金属层； 提供一面带有散热翅片的散热底座，将所述散热底座与所述金属层进行热压融合，得到具有金属焊接层的功率芯片封装结构。
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