台湾积体电路制造股份有限公司杨世海获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110483374.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及方法是由杨世海;王培宇;徐志安设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极漏极LDD区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间电介质ILD层，在第一外延源极漏极区域之上；源极漏极接触件，延伸穿过ILD层，该源极漏极接触件环绕第一外延源极漏极区域的四个侧面；以及栅极堆叠，与源极漏极接触件和第一外延源极漏极区域相邻，该栅极堆叠环绕沟道区域的四个侧面。
本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 图案化多个半导体层以形成第一纳米结构、第二纳米结构和第三纳米结构，所述第二纳米结构设置在所述第一纳米结构和所述第三纳米结构之间； 在覆盖所述第二纳米结构的第二区域的同时，用杂质掺杂所述第二纳米结构的第一区域； 去除所述第一纳米结构和所述第三纳米结构的一些部分以暴露所述第二纳米结构的第一区域的顶部和底部； 在所述第二纳米结构的第一区域的顶部和底部周围生长外延源极漏极区域； 在所述外延源极漏极区域的顶部和底部周围沉积虚设层，所述虚设层包括第一电介质材料； 在所述虚设层上沉积层间电介质ILD层，所述ILD层包括第二电介质材料，所述第二电介质材料不同于所述第一电介质材料；以及 在所述第二纳米结构的第二区域的顶部和底部周围形成栅极堆叠。
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