中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011520716.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，鳍部沿第一方向延伸，栅极结构沿第二方向延伸，第一方向和第二方向垂直；在栅极结构中待切断的位置处，刻蚀栅极结构，在栅极结构中形成隔断开口，隔断开口在第二方向上将栅极结构进行分割，且隔断开口露出的栅极结构的末端沿第二方向朝隔断开口内凸出。通过使隔断开口露出的栅极结构末端沿第二方向凸出，从而增大了隔断开口露出的栅极结构末端与被栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道的被控制能力，进而有利于提高半导体结构的工作性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述栅极结构的延伸方向为第二方向，所述第一方向和所述第二方向相垂直； 隔断开口，位于栅极切断位置处的所述栅极结构中，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，其中，所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出； 栅极隔断结构，位于所述隔断开口中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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