中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011522393.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有横跨鳍部并露出鳍部的部分顶部和部分侧壁的栅极开口，栅极开口两侧的鳍部内形成有源漏掺杂区，衬底包括相邻的第一区域和第二区域，分别用于形成晶体管，位于第一区域和第二区域中任一区域的栅极开口向另一区域延伸并露出另一区域的鳍部，被露出的另一区域的鳍部所在位置作为互连位置；形成保形覆盖栅极开口的底部和侧壁以及栅极开口中鳍部的栅介质层；去除互连位置的鳍部表面的栅介质层，露出互连位置的鳍部表面；露出互连位置的鳍部表面后，在栅极开口中形成栅极结构。本发明增大了电连接的工艺窗口。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的多个鳍部，所述衬底沿所述多个鳍部的排列方向上包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域分别用于形成晶体管； 栅极结构，横跨所述鳍部并覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，其中，位于所述第一区域和第二区域中任一区域的栅极结构向另一区域延伸并覆盖所述另一区域的鳍部，且被覆盖的所述另一区域的鳍部所在的位置作为互连位置，在所述互连位置处，所述栅极结构和鳍部直接电连接； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的所述鳍部内； 栅介质层，位于所述栅极结构和基底之间，且所述栅介质层露出所述互连位置的所述鳍部表面； 层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上并覆盖所述栅极结构的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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