住友电工光电子器件创新株式会社中野拓真获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利半导体器件及形成该半导体器件的处理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210278490.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体器件及形成该半导体器件的处理是由中野拓真设计研发完成，并于2018-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及形成该半导体器件的处理在说明书摘要公布了：披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管FET类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件，其设置了：主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区；源电极、漏电极和栅电极；覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜；以及绝缘膜上的场板。本发明的FET的特征在于所述场板通过设置在绝缘膜中的开口与辅助有源区电接触。
本发明授权半导体器件及形成该半导体器件的处理在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管类型的半导体器件，其主要由氮化物半导体材料制成，所述半导体器件包括： 氮化物半导体层叠件，其具有主有源区、辅助有源区、和包围所述主有源区和所述辅助有源区的无源区，所述主有源区与所述辅助有源区电隔离； 源电极、漏电极和栅电极，其均设置在所述主有源区中的所述氮化物半导体层叠件上； 绝缘膜，其覆盖所述源电极、所述漏电极和所述栅电极以及在各电极之间暴露的所述氮化物半导体层叠件，所述绝缘膜在所述辅助有源区中设置开口；以及 场板，其设置在所述绝缘膜上并且与所述栅电极重叠， 其中所述场板通过设置在所述绝缘膜中的所述开口与所述辅助有源区电接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电工光电子器件创新株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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