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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110642417.8，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权半导体结构及其制造方法是由王庆森;陈旷举;刘汉英;萧鹏展;余韦萱;黄邦彦;周家豪设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明是关于一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包含：形成热电结构于基板上。形成介电层于基板上，以使介电层覆盖热电结构；形成第一光阻图案于介电层上，且第一光阻图案包含第一开口；使用第一光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻介电层，以移除位于第一开口下方的介电层且暴露基板的暴露区域；移除第一光阻图案；顺应性地形成保护层于介电层及暴露区域上；形成第二光阻图案于保护层上；第二光阻图案包含第二开口，且第二开口小于第一开口；使用第二光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻保护层，以移除位于第二开口下方的保护层。本发明能避免蚀刻制程工艺破坏包含热电材料的热电结构。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该制造方法包含： 形成一热电结构于一基板上； 形成一介电层于该基板上，以使该介电层覆盖该热电结构； 形成一第一光阻图案于该介电层上，该第一光阻图案包含一第一开口； 使用该第一光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻该介电层，以移除位于该第一开口的下方的该介电层且暴露该基板的一暴露区域； 移除该第一光阻图案； 顺应性地形成一保护层于该介电层的顶表面和侧表面及该暴露区域的顶表面上； 形成一第二光阻图案于该保护层上，该第二光阻图案包含一第二开口，且该第二开口小于该第一开口； 使用该第二光阻图案作为蚀刻遮罩，并蚀刻该保护层，以移除位于该第二开口的下方的该保护层，其中，该保护层覆盖该基板的该暴露区域的一部分； 形成一对沟槽于该暴露区域的另一部分中，且该对沟槽设置于该热电结构的两侧；以及 形成一空腔于该基板中，使得该对沟槽的侧壁与位于该暴露区域上的该保护层的侧表面实质上对齐，该空腔位于该热电结构之下，且使该对沟槽彼此连通。

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