台湾积体电路制造股份有限公司陈廷睿获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体构造的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110448281.7，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权形成半导体构造的方法是由陈廷睿;陈治棻;游本杰;谢东喜;谢江河设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体构造的方法在说明书摘要公布了：提供一种形成半导体构造的方法。所述方法包括在衬底的顶表面之上形成图案化光刻胶。所述方法包括使用图案化光刻胶对衬底的第一部分进行掺杂。所述方法包括使用包含氟化物的气体移除图案化光刻胶，其中在移除图案化光刻胶之后，来自气体的氟化物残留物存留在衬底的顶表面上。所述方法包括使用一氧化二氮对衬底进行处理，以移除氟化物残留物。
本发明授权形成半导体构造的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体构造的方法，包括： 在衬底的顶表面之上形成图案化光刻胶； 使用所述图案化光刻胶对所述衬底的第一部分进行掺杂； 使用包含氟化物的气体移除所述图案化光刻胶，其中在移除所述图案化光刻胶之后，来自所述气体的氟化物残留物存留在所述衬底的所述顶表面上； 对所述衬底的所述顶表面进行清洁； 在对所述衬底的所述顶表面进行清洁之后，对所述衬底的所述顶表面进行刻蚀以移除负性氧化物；以及 在对所述衬底的所述顶表面进行刻蚀以移除所述负性氧化物之后，使用一氧化二氮对所述衬底进行处理，以移除所述氟化物残留物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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