中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011547632.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵海设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体结构的形成方法，提供初始衬底，初始衬底包括平台区和鳍部区；在初始衬底上形成图形化的鳍部掩膜层，鳍部掩膜层包括用于形成鳍部的第一掩膜层和用于覆盖平台区的第二掩膜层；以鳍部掩膜层为掩膜，去除鳍部区部分厚度的初始衬底，形成多个并行的鳍部，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以鳍部区内凸出于衬底的初始衬底为鳍部，以平台区内凸出于衬底的初始衬底为平台；去除第二掩膜层，暴露所述平台区的第一掩膜层；形成覆盖鳍部和平台的隔离材料层，隔离材料层暴露第一掩膜层；去除隔离材料层暴露的第一掩膜层；去除部分厚度的隔离材料层，在鳍部之间形成隔离层。本发明实施例能够提升半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始衬底，所述初始衬底包括平台区和鳍部区； 在所述初始衬底上形成图形化的鳍部掩膜层，所述鳍部掩膜层包括用于形成鳍部的第一掩膜层和用于覆盖所述平台区的第二掩膜层； 以所述鳍部掩膜层为掩膜，去除所述鳍部区部分厚度的初始衬底，形成多个并行的鳍部，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以所述鳍部区内凸出于所述衬底的初始衬底为鳍部，以所述平台区内凸出于所述衬底的初始衬底为平台； 去除所述第二掩膜层，暴露所述平台区的第一掩膜层； 形成覆盖所述鳍部和所述平台的隔离材料层，所述隔离材料层暴露所述第一掩膜层，从而使鳍部、衬底和平台在隔离材料层的保护下去除用于形成鳍部的第一掩膜层； 去除所述隔离材料层暴露的第一掩膜层； 去除部分厚度的隔离材料层，在所述鳍部之间形成隔离层。
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