中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011541265.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的沟道材料层，衬底包括器件区和掩埋电源轨区；在器件区的基底上形成掩膜侧墙；在掩埋电源轨区的基底中形成沟槽，沟槽底部延伸至衬底中；在沟槽中形成掩埋电源轨结构，掩埋电源轨结构顶部低于沟道材料层顶部；形成掩埋电源轨结构后，以掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底，将沟道材料层图形化为沟道结构层；形成沟道结构层后，在衬底上形成隔离层，将掩埋电源轨结构掩埋在内。本发明先形成掩埋电源轨结构，再形成沟道结构层，从而采用一次隔离层形成制程，简化了工艺步骤，且由于形成隔离层的制程通常包括热退火的步骤，相应减小热预算，从而简化工艺步骤的同时，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的沟道材料层，所述衬底包括器件区以及掩埋电源轨区； 在所述器件区的所述基底上形成掩膜侧墙； 形成所述掩膜侧墙后，在所述掩埋电源轨区的所述基底中形成沟槽，所述沟槽的底部延伸至所述衬底中； 在所述沟槽中形成掩埋电源轨结构，所述掩埋电源轨结构的顶部低于所述沟道材料层的顶部； 形成所述掩埋电源轨结构后，以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述基底，将所述沟道材料层图形化为沟道结构层； 形成所述沟道结构层后，在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层将所述掩埋电源轨结构掩埋在内。
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