浙江驰拓科技有限公司简红获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011552696.0，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器是由简红;宫俊录;孙一慧;孟凡涛;刘俊设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器在说明书摘要公布了：本发明属于磁隧道结技术领域，尤其涉及一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器。本发明提供的自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚度；所述间隔层中包括至少两种非磁性元素。本发明通过将自由层结构中的第一铁磁层和第二铁磁层的厚度控制在小于1nm，有效提升了STT效率，降低了写入电流；同时，该自由层结构中的间隔层至少由两种不同的非磁性元素组成，两种元素有较强的结合能，保证了间隔层结构的稳定性，抑制了因磁性层厚度减薄引起的元素扩散，提升了耐擦写性能。
本发明授权一种磁隧道结的自由层、磁隧道结和自旋转移力矩磁性随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁隧道结，其特征在于，包括自由层，所述自由层包括依次接触的第一铁磁层、间隔层和第二铁磁层；所述第一铁磁层和第二铁磁层的厚度均≤1nm，且所述第二铁磁层厚度小于第一铁磁层厚度；所述间隔层由至少一种重金属非磁性元素和至少一种原子序数小于20的非磁性元素组成；所述重金属非磁性元素包括Ta、Mo、W、Ti、Hf、Zr、Nb、Ta、Ti、Nb、Ta和Ti中的一种或多种；所述原子序数小于20的非磁性元素包括Mg、Al和Si中的一种或多种；所述间隔层中重金属非磁性元素的占比为10~45wt%。
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