深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种基于GaOx-GaN的CMOS反相器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210518961.6，技术领域涉及：H10D84/08；该发明授权一种基于GaOx-GaN的CMOS反相器的制备方法是由刘新科;李博;蒋忠伟;马正蓊;黄正;陈增发;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于GaOx-GaN的CMOS反相器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种基于GaOx‑GaN的CMOS反相器的制备方法，包括：在单晶Si衬底或GaN衬底上依次生长掺碳GaN缓冲层，并在掺碳或硅GaN缓冲层表面生长GaN沟道层；在垂直GaN沟道层表面的方向光刻GaN沟道层和掺碳GaN缓冲层形成隔离区域，并在隔离区域生长高热导率物质；在隔离区域两侧的GaN层表面制作凹槽，并在凹槽内沉积GaOx，并在沉积GaOx后的一侧注入Mg离子形成Mg‑GaOx；在器件表面沉积金属膜和介质层，退火，在阻挡层区域得到漏极，在GaN层的两端区域得到源极，在两侧的GaOx层和Mg‑GaOx层表面沉积金属膜和介质层，剥离，退火得到栅极。本发明形成了GaOx—GaN异质结，可以提升反相器的性能，结构更简单，散热好。
本发明授权一种基于GaOx-GaN的CMOS反相器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaOx-GaN的CMOS反相器的制备方法，其特征在于，包括： 在单晶Si衬底或GaN衬底上依次生长掺碳或硅GaN缓冲层，并在掺碳或硅GaN缓冲层表面生长GaN沟道层； 在垂直GaN沟道层表面的方向光刻GaN沟道层和掺碳或硅GaN缓冲层形成隔离区域，并在隔离区域生长高热导率物质； 在隔离区域两侧的GaN层表面制作凹槽，并在凹槽内沉积GaOx，在隔离区一侧的GaOx注入Mg离子形成Mg-GaOx； 在器件表面沉积金属膜和介质层，退火，在隔离区得到漏极，在GaN沟道层的两端区域得到源极，在两侧的GaOx层和Mg-GaOx层表面沉积金属膜和介质层，剥离除两侧的GaOx层和Mg-GaOx层表面以外的金属，退火得到栅极。
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