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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210158910.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法是由李祥东;袁嘉惠;王萌;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层钝化凹槽栅MIS‑HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；势垒层左右两侧分别设有源极和漏极；势垒层中间靠近源极一侧设有一凹槽栅极区，凹槽栅极区上设有多层钝化层；其中，多层钝化层包括第一钝化层、过渡层、掩膜层、第二钝化层；第一钝化层选择性生长于势垒层的凹槽栅极区底部，并与沟道层上表面接触；过渡层位于第一钝化层上表面；掩膜层位于凹槽栅极区两侧的势垒层上；第二钝化层位于过渡层上，并向上延伸至掩膜层的上表面。本发明通过将多层钝化结构与选择性生长技术相结合，实现了钝化层在栅极区域内有效、精确可控的沉积，改善了介质界面缺陷问题，提升了器件性能。

本发明授权一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5；所述势垒层5左右两侧分别设有源极6和漏极7，所述源极6和漏极7均穿过所述势垒层5与所述沟道层4形成欧姆接触；所述源极6左侧和所述漏极7右侧分别设有器件的左侧隔离区8和右侧隔离区9；所述势垒层5中间靠近所述源极6一侧设有一凹槽栅极区，所述凹槽栅极区上设有多层钝化层10；其中， 所述多层钝化层10包括第一钝化层101、过渡层102、掩膜层103、第二钝化层104；所述第一钝化层101的材料为Si，所述过渡层102的材料为SiO2； 所述第一钝化层101选择性生长于所述势垒层5的凹槽栅极区底部，并与所述沟道层4上表面接触； 所述过渡层102位于所述第一钝化层101上表面，且其上表面低于所述势垒层5上表面；所述过渡层102为对所述第一钝化层101的上半部分经过热氧化形成的； 所述掩膜层103位于所述凹槽栅极区两侧的势垒层5上； 所述第二钝化层104位于所述过渡层102上，并向上延伸至所述掩膜层103的上表面，以形成U形截面结构，且所述第二钝化层104的两侧分别与源极6和漏极7接触； 栅极11位于所述第二钝化层104的U形凹槽之内。

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