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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板、显示面板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002069.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板和显示装置是由王本莲;龙跃;杜丽丽;黄耀;黄炜赟;承天一设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板和显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。所述阵列基板包括：衬底基板1；低温多晶硅薄膜晶体管2，位于所述衬底基板1上，所述低温多晶硅薄膜晶体管2包括位于所述衬底基板1上层叠设置的多晶硅有源层21和第一栅极22；氧化物薄膜晶体管3，位于所述衬底基板1上，所述氧化物薄膜晶体管3包括位于所述衬底基板1上层叠设置的氧化物有源层31和第二栅极32；遮光层35，所述遮光层35在所述衬底基板1的投影与所述氧化物有源层31在所述衬底基板1的正投影的交叠面积为S1；所述遮光层35在所述衬底基板1的投影与所述多晶硅有源层21在所述衬底基板1的正投影的交叠面积为S2，其中S1大于S2。

本发明授权阵列基板、显示面板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其中，包括： 衬底基板； 低温多晶硅薄膜晶体管，位于所述衬底基板上，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括位于所述衬底基板上层叠设置的多晶硅有源层和第一栅极； 氧化物薄膜晶体管，位于所述衬底基板上，所述氧化物薄膜晶体管包括位于所述衬底基板上层叠设置的氧化物有源层和第二栅极； 遮光层，所述遮光层在所述衬底基板的投影与所述氧化物有源层在所述衬底基板的正投影的交叠面积为S1；所述遮光层在所述衬底基板的投影与所述多晶硅有源层在所述衬底基板的正投影的交叠面积为S2，其中S1大于S2； 其中，所述氧化物有源层位于所述第一栅极的背离所述衬底基板的一侧； 所述氧化物有源层与所述第一栅极之间具有第一缓冲层； 其中，所述衬底基板与所述多晶硅有源层之间具有第二缓冲层； 所述第二缓冲层与所述衬底基板之间还具有阻挡层； 所述多晶硅有源层与所述第一栅极之间具有第一栅极绝缘层； 所述氧化物有源层与所述第二栅极之间具有第二栅极绝缘层； 所述第二栅极的背离所述衬底基板的一侧还具有层间介质层； 其中，所述遮光层的厚度为1000Å～5000Å； 所述遮光层位于所述多晶硅有源层所在层与所述衬底基板所在层之间，且所述遮光层位于所述第二缓冲层与所述阻挡层之间，所述遮光层加载固定电位，所述固定电位大于阴极电位且小于电源线电位。

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