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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利发光二极管芯片、显示装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110119525.7，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权发光二极管芯片、显示装置及制备方法是由董学;袁广才;姚琪;曹占锋;舒适;王明星;李翔设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管芯片、显示装置及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：基底；多个外延结构，位于基底一侧，任意相邻的两个外延结构之间具有间隙，外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层；至少一个第一电极，位于第一半导体层远离基底的一侧且与第一半导体层电连接；多个第二电极，位于第二半导体图案远离基底的一侧，每个第二电极与至少一个外延结构的第二半导体图案电连接；像素界定层，位于基底远离外延结构的一侧，像素界定层上设置有与外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分像素开口内设置有色转换图案，色转换图案配置为将发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光。

本发明授权发光二极管芯片、显示装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括： 基底； 多个外延结构，位于所述基底一侧，任意相邻的两个所述外延结构之间具有间隙，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个所述外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层； 至少一个第一电极，位于所述第一半导体层远离所述基底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接； 多个第二电极，位于所述第二半导体图案远离所述基底的一侧，每个所述第二电极与至少一个所述外延结构的第二半导体图案电连接； 像素界定层，位于所述基底远离所述外延结构的一侧，所述像素界定层上设置有与所述外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分所述像素开口内设置有色转换图案，所述色转换图案配置为将所述发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光； 所述发光二极管芯片还包括第一遮光层，所述第一遮光层位于所述像素界定层与所述基底之间，所述第一遮光层配置为遮挡由所述外延结构所发出且在所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面发生折射后传播方向未指向该外延结构所对应像素开口的光线； 所述第一遮光层包括至少一个遮光图案，所述遮光图案与至少两个相邻的所述外延结构的第一半导体图案相互连通的位置相对设置； 在预设方向上相邻的两个所述外延结构对应一个遮光图案，所述遮光图案在所述预设方向上的最小宽度W满足： W≥2*H*tanθ-D H为所述外延结构内所述发光图案远离所述基底的一侧表面与所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面之间的距离，θ为所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面的全反射临界角，D为在预设方向上相邻的两个所述外延结构之间的间隙在所述预设方向上的最小距离。

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