重庆平创半导体研究院有限责任公司高博获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种半导体开关组件及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210635408.0，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种半导体开关组件及其控制方法是由高博;陈显平设计研发完成，并于2022-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体开关组件及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体开关组件，包括高压无拖尾电流开关器件、低压无拖尾电流开关器件和有拖尾电流开关器件；有拖尾电流开关器件与低压无拖尾电流开关器件串联，高压无拖尾电流开关器件与串联后的有拖尾电流开关器件与低压无拖尾电流开关器件并联。采用本发明的技术方案能够允许在开关损耗、导通损耗与可靠性互相制约的前提下实现更小的开关损耗、更小的导通损耗与更高的可靠性。
本发明授权一种半导体开关组件及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体开关组件，其特征在于，包括高压无拖尾电流开关器件、低压无拖尾电流开关器件和有拖尾电流开关器件；有拖尾电流开关器件与低压无拖尾电流开关器件串联，高压无拖尾电流开关器件与串联后的有拖尾电流开关器件与低压无拖尾电流开关器件并联； 所述高压无拖尾电流开关器件采用高压MOSFET器件，低压无拖尾电流开关器件采用低压MOSFET器件，有拖尾电流开关器件采用IGBT器件； 还包括时序发生电路、高压MOSFET驱动电路和低压MOSFET驱动电路；时序发生电路的输出端分别与低压MOSFET驱动电路和高压MOSFET驱动电路的输入端连接； 低压MOSFET驱动电路的输出端与低压MOSFET器件的栅极和源极连接，高压MOSFET驱动电路的输出端与高压MOSFET器件的栅极和源极连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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