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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种GaN HEMT和GaOx MOSFET异构反相器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210520552.X，技术领域涉及：H10D86/03；该发明授权一种GaN HEMT和GaOx MOSFET异构反相器的制备方法是由刘新科;马正蓊;陈增发;黄正;李博;蒋忠伟;黄双武;朱德亮;黎晓华;徐平设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT和GaOx MOSFET异构反相器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了GaNHEMT和GaOxMOSFET异构反相器的制备方法，包括：在蓝宝石单晶衬底上生长GaNFe调制缓冲层，在900～1200℃的条件下同质外延生长30～50nm的GaN层，并在GaN层上生长掺硅AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层形成HEMT结构；在SiN钝化层上刻蚀部分区域到蓝宝石层，刻蚀沟道隔离区域，并在刻蚀后的蓝宝石表面生长第一GaOx缓冲层使得第一GaOx缓冲层与蓝宝石表面形成台阶，以及在第一GaOx缓冲层上生长第二GaOx层，并在第二GaOx层上注入Si离子进行N掺杂形成MOSFET的漏、源掺杂区域后沉积SiO2栅质层；在SiN钝化层和SiO2介质层的两端沉积金属膜，剥离，退火分别得到源极和漏极，在SiN钝化层和SiO2介质层的中间沉积金属膜，剥离，退火分别得到栅极。本发明可适用于高温、高压工作场景。

本发明授权一种GaN HEMT和GaOx MOSFET异构反相器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT和GaOxMOSFET异构反相器的制备方法，其特征在于，包括： 在蓝宝石单晶衬底上生长GaNFe调制缓冲层，在900～1200℃的条件下同质外延生长30～50nm的GaN层，并在GaN层上生长掺硅AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层形成HEMT结构； 在SiN钝化层上刻蚀部分区域到蓝宝石层，刻蚀沟道隔离区域，并在刻蚀后的蓝宝石表面生长第一GaOx缓冲层使得第一GaOx缓冲层与蓝宝石表面形成台阶，以及在第一GaOx缓冲层上生长第二GaOx层，并在第二GaOx层上注入Si离子进行N掺杂形成MOSFET的漏源掺杂区域后沉积SiO2栅质层； 在SiN钝化层和SiO2介质层的两端沉积金属膜，剥离，退火分别得到源极和漏极，在SiN钝化层和SiO2介质层的中间沉积金属膜，剥离，退火分别得到栅极。

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