上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司钟旻获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种相变存储器单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326647.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种相变存储器单元及其制备方法是由钟旻;李铭设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相变存储器单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所述第一电极与所述选择器件层连接，所述第二电极与所述相变材料层连接，所述选择器件层包括纵向设置的二维晶体二极管层。本发明通过凹槽填充方式制备具有环形嵌套结构的柱形相变单元，可提高器件的性能和可靠性，并通过采用二维晶体二级管层形成选择器件层，利用其具有的较低阈值电压，能有效降低器件功耗，并节约生产成本。
本发明授权一种相变存储器单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器单元，其特征在于，自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所述第一电极与所述选择器件层连接，所述第二电极与所述相变材料层连接，所述选择器件层包括纵向设置的二维晶体二极管层和相连设于所述二维晶体二极管层外侧的导体材料层，所述第一电极与所述导体材料层连接；所述导体材料层为含碳化合物，含Ti、Pt、W、Ta、Cu、WN和TaN材料中的至少一种。
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