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龙图腾网获悉东莞市天域半导体科技有限公司申请的专利降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210503801.4，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法是由杨旭腾;韩景瑞;张会娟;李锡光设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法，首先对碳化硅反应室进行预处理，在高真空、高温、低压条件下对反应室烘烤1‑2小时，以将反应室的空气、水分等排走，以有效提高反应室的洁净度；然后，在生长外延层之前通入乙烯一种气体来调节反应室的氛围，使其处在偏碳的环境下，因此不利于杂质气体掺杂到外延层上；最后，采用化学气相沉积法在高温、低压环境下生长外延层，其中，采用乙烯C2H4气体作为碳源，三氯氢硅SiHCl3气体作为硅源，通过将碳硅流量比控制在富碳条件下，从而在生长过程中加快生长速率，以此降低背景掺杂浓度，同时富碳条件也能起到降低掺杂效率的作用。

本发明授权降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低碳化硅外延背景掺杂浓度的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1对碳化硅反应室在高真空、高温、低压条件下烘烤1-2小时以进行预处理，以将所述反应室内的空气和水分排出； 2选择合适的碳化硅衬底，由外延反应室系统的机械手装置将所述碳化硅衬底自动传送至所述反应室的内部并放置于石墨基座上； 3对所述反应室通入载气氢气，并将所述反应室的压力控制在50mbar，使所述反应室内的温度缓慢上升，当所述反应室内的温度达到1600°时，通入乙烯气体并维持20分钟，然后关断乙烯气体；然后，使所述反应室内的温度缓慢升高至生长外延所需的温度； 4将所述反应室的温度维持在生长外延所需的温度，并将所述反应室内的压力维持在50mbar，通入生长气体乙烯和三氯氢硅，并将碳硅流量比控制在富碳条件下，采用化学气相沉积法进行外延层生长，生长时间为1小时，生长结束后保留氢气，并关断乙烯和三氯氢硅气体； 5完成外延层生长得到晶片后，使所述反应室进行自动降温，当所述反应室的温度缓慢降至900°时，由外延反应室系统的机械手装置自动将晶片传送到取片区； 其中，所述步骤1包括： 11将所述反应室的温度升到1200°~1600°之间，同时通入100升的氢气，并将所述反应室的压力控制在100mbar~200mbar之间，维持所述温度及压力状态30分钟； 12将所述反应室的温度降到1100°左右，然后关闭氢气，利用外延反应室系统的机械真空泵将所述反应室内的压力抽至1mbar~5mbar之间； 13启用外延反应室系统的分子泵进一步将所述反应室内的压力抽至2×10-5mbar~5×10-5mbar之间，并维持该压力状态1~2小时； 14将所述反应室的温度缓慢降到900°，同时通入30升的氢气，使残留在所述反应室的石墨配件内的空气、氮气、水分被释放出，然后将所述反应室内的气体抽走。

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