台湾积体电路制造股份有限公司陈建源获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利组合电路、集成电路及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111660.1，技术领域涉及：H10D84/90；该发明授权组合电路、集成电路及其制造方法是由陈建源;李政宏;廖宏仁;谢豪泰;林高正;詹伟闵设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本组合电路、集成电路及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了组合电路、集成电路及其制造方法。诸如集成电路器件的电路器件由包括两个或更多个级联晶体管以及布置在级联晶体管上方的一个或多个金属层的组合电路构成。级联晶体管包括多个内部节点例如，公共源极漏极区。多个内部节点不连接到一个或多个金属层中的公共金属带相同的金属带。内部节点和公共金属带之间不存在连接，可以减少或消除内部节点上的负载。级联晶体管中的晶体管彼此独立。
本发明授权组合电路、集成电路及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种组合电路，包括： 级联晶体管组，包括形成在有源区中间隔布置的第一内部节点和第二内部节点，所述第一内部节点和所述第二内部节点中的每个是所述级联晶体管组中的第一晶体管的一个端子与第二晶体管的一个端子之间在公共源极漏极区处的连接，所述有源区包括p型阱或n型阱中的至少一个；以及 金属层堆叠，设置在所述有源区和所述级联晶体管组上方，其中，所述金属层堆叠中的每个金属层包括多个金属带，并且所述第一内部节点和所述第二内部节点不连接所述金属层堆叠中的公共金属带，所述公共金属带包括所述金属层堆叠中的单个金属带。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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