湖北九峰山实验室杨冰获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利半导体激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114976853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210608415.1，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权半导体激光器及其制造方法是由杨冰;袁俊设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体激光器及其制造方法，所述半导体激光器包括半导体衬底、功能层和激光器元件，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，功能层位于第一表面，激光器元件位于功能层背离半导体衬底的一侧，其中该功能层能够提高激光器元件工作热量传导至半导体衬底的速率，并能够降低半导体衬底对激光器元件出射光线的反射，这样半导体激光器就能够有效散热的同时降低反射，解决了半导体的热传递问题和光反射问题。
本发明授权半导体激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面； 位于所述第一表面的功能层； 位于所述功能层背离所述半导体衬底一侧的激光器元件； 其中，所述功能层用于提高所述激光器元件工作热量传导至所述半导体衬底的速率，并降低所述半导体衬底对所述激光器元件出射光线的反射； 所述功能层包括石墨烯层，所述石墨烯层包括多个穿透所述石墨烯层的镂空区域； 所述激光器元件包括：位于所述功能层背离所述半导体衬底一侧的外延层；位于所述外延层背离所述功能层一侧的有源层，所述有源层露出部分所述外延层；位于所述有源层背离所述外延层一侧的第一电极;位于所述有源层露出所述外延层表面的第二电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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