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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种三级运放有源网络米勒补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115001407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210674323.3，技术领域涉及：H03F1/14；该发明授权一种三级运放有源网络米勒补偿电路是由奚冬杰;徐晴昊;李现坤设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三级运放有源网络米勒补偿电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种三级运放有源网络米勒补偿电路，属于电子电路领域，包括第一电容CC1、第二电容CC2、第三电容CL、NMOS管MN1～NMOS管MN7和PMOS管MP1～PMOS管MP8；NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP5构成运放第一增益级，为折叠共源共栅输入结构；NMOS管MN5、PMOS管MP6构成运放第二增益级，为反向放大结构；NMOS管MN6、PMOS管MP7～MP8构成运放第三增益级，NMOS管MN7为前馈增益级，两者构成伪AB类推挽输出结构，可提高运放输出对容性负载的驱动能力；第一电容CC1、第二电容CC2为补偿电容，NMOS管MN2为有源跨导反馈补偿级。本发明基于三级运放自身固有结构中跨导增益级进行补偿，无需引入额外器件，可简化逻辑设计和降低电路功耗；经补偿后，环路中左半平面零点被移动至右半平面，电路相位裕度大幅提升，稳定性增加。

本发明授权一种三级运放有源网络米勒补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种三级运放有源网络米勒补偿电路，其特征在于，包括第一电容CC1、第二电容CC2、第三电容CL、NMOS管MN1～NMOS管MN7和PMOS管MP1～PMOS管MP8；其中， NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP5构成运放第一增益级，其为折叠共源共栅输入结构； NMOS管MN5、PMOS管MP6构成运放第二增益级，其为反向放大结构； NMOS管MN6、PMOS管MP7～MP8构成运放第三增益级，其中NMOS管MN7为前馈增益级，两者构成伪AB类推挽输出结构，可提高运放输出对容性负载的驱动能力； 第一电容CC1、第二电容CC2为补偿电容，NMOS管MN2为有源跨导反馈补偿级； 所述NMOS管MN1的漏端接PMOS管MP4的漏端，栅端接第三偏置电压VB3，源端接NMOS管MN3的漏端；NMOS管MN2的漏端接PMOS管MP5的漏端，栅端接第三偏置电压VB3，源端接NMOS管MN4的漏端；NMOS管MN3的漏端接PMOS管MP2的漏端，栅端接第二偏置电压VB2，源端接GND；NMOS管MN4的漏端接PMOS管MP3的漏端，栅端接第二偏置电压VB2，其源端接GND；NMOS管MN5的漏端接PMOS管MP6的漏端，栅端接NMOS管MN2的漏端，源端接GND；NMOS管MN6的漏端接PMOS管MP7的漏端，栅端接NMOS管MN5的漏端，源端接GND；NMOS管MN7的漏端接PMOS管MP8的漏端，栅端接NMOS管MN2的漏端，源端接GND； 所述PMOS管MP1的漏端同时接PMOS管MP2的源端和PMOS管MP3的源端，PMOS管MP1的栅端接第一偏置电压VB1，源端接VDD；PMOS管MP2的漏端接NMOS管MN3的漏端，栅端接运放负输入端Vin-，源端接PMOS管MP1的漏端；PMOS管MP3的漏端接NMOS管MN4的漏端，栅端接运放正输入端Vin+，源端接PMOS管MP1的漏端；PMOS管MP4的漏端接NMOS管MN1的漏端，栅端接NMOS管MN1的漏端，源端接VDD；PMOS管MP5的漏端接NMOS管MN2的漏端，栅端接PMOS管MP4的栅端，源端接VDD；PMOS管MP6的漏端接NMOS管MN5的漏端，栅端接第一偏置电压VB1，源端接VDD；PMOS管MP7的漏端接NMOS管MN6的漏端，栅端接NMOS管MN6的漏端，源端接VDD；PMOS管MP8的漏端接NMOS管MN7的漏端，栅端接PMOS管MP7的栅端，源端接VDD。

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