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龙图腾网获悉东莞市天域半导体科技有限公司申请的专利碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617214.8，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法是由卓俊辉;冯禹;李锡光设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法，包括：1测量外延片的总厚度、平整度最大值以及其外延层上多个点的厚度；2计算外延平均厚度、减薄厚度；3根据外延平均厚度，依次通过粗砂轮对外延层进行第一减薄处理以及通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理，或者直接通过细砂轮对外延层进行第二减薄处理；4通过双面刷洗机对减薄处理后的外延片的两面进行冲刷；5对多个外延片同时进行至少一次化学机械抛光，以完全去除各外延片的外延层。本发明的方法能够加工更高效、精确更高的去除外延层，保留衬底厚度，并提高CMP的加工效率和质量，实现不合格外延片再生衬底的重利用。

本发明授权碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延片去除外延再生衬底的方法，用于将外延片的衬底上生成的不合格外延层去除，其特征在于，包括如下步骤： 1提供外延片，测量所述外延片的总厚度、其平整度最大值以及其外延层上多个点的厚度，其中，所述平整度最大值为所述衬底的生长所述外延层的侧面上的最高位置与最低位置之间的高度差； 2将所述外延层上多个点的厚度取平均值以计算出其外延平均厚度，并计算所述外延平均厚度与所述平整度最大值之和以得出所述外延片的减薄厚度； 3根据所述外延平均厚度，依次通过粗砂轮对所述外延层进行第一减薄处理以及通过细砂轮对所述外延层进行第二减薄处理，或者直接通过细砂轮对所述外延层进行第二减薄处理；其中，所述粗砂轮的目数小于所述细砂轮的目数； 4通过双面刷洗机对减薄处理后的所述外延片的两面进行冲刷； 5计算所述衬底的厚度，其中，所述衬底的厚度等于所述外延片的总厚度减去所述减薄厚度； 6将经过冲刷之后并且所述衬底的厚度在预设范围内的多个所述外延片贴于化学机械抛光设备的陶瓷盘，然后对多个所述外延片同时进行至少一次化学机械抛光，以完全去除各所述外延片的外延层。

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