南亚科技股份有限公司龚耀雄获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110606770.0，技术领域涉及：H10W20/46；该发明授权半导体结构及其形成方法是由龚耀雄;赖朝文设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括基板、栅极、位线、上盖层、第一间隔件、绝缘层、第二间隔件以及旋涂介电层。栅极与位线位于基板上。栅极位于基板与位线之间。上盖层位于位线上。第一间隔件位于栅极、位线以及上盖层的侧壁上。绝缘层位于第一间隔件的上部分上。第二间隔件位于绝缘层的底面且向下延伸。绝缘层、第一间隔件与第二间隔件定义出空气间隙。旋涂介电层位于第一间隔件、空气间隙与第二间隔件之间。旋涂介电层低于位线的底面。借此，本发明的半导体结构，空气间隙的开口位于位线下方使旋涂介电层可从第一间隔件的底部上流入开口中，以达到封闭开口的效果。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 基板； 栅极与位线，位于所述基板上，其中所述栅极位于所述基板与所述位线之间； 上盖层，位于所述位线上； 第一间隔件，位于所述栅极、所述位线以及所述上盖层的侧壁上； 绝缘层，位于所述第一间隔件的上部分上； 第二间隔件，位于所述绝缘层的底面上且向下延伸，其中所述绝缘层、所述第一间隔件与所述第二间隔件定义出空气间隙；以及 旋涂介电层，位于所述第一间隔件、所述空气间隙与所述第二间隔件之间，且低于所述位线的底面，其中所述第一间隔件延伸至所述旋涂介电层的底表面。
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