中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏柏青获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110269366.9，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏柏青;金吉松;苏柏松;王俊设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；介质层，覆盖栅极结构和源漏掺杂层的顶部；源漏插塞，贯穿栅极结构两侧的介质层并与源漏掺杂层顶部电连接，源漏插塞沿栅极结构延伸方向包括第一端和第二端，源漏插塞包括相邻接的第一区域和第二区域，第二区域位于第一端一侧或位于第二端一侧，第一区域的源漏插塞顶部低于第二区域的源漏插塞顶部；源漏盖帽层，位于第一区域的源漏插塞顶部并覆盖第二区域的源漏插塞侧壁；栅极插塞，位于源漏盖帽层之间且贯穿栅极结构顶部的介质层，栅极插塞与栅极结构顶部电连接。本发明在采用COAG工艺形成栅极插塞的同时，简化工艺步骤，降低工艺难度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底内； 介质层，位于所述基底上且覆盖所述栅极结构顶部和所述源漏掺杂层顶部； 源漏插塞，贯穿所述栅极结构两侧的所述介质层、并与所述源漏掺杂层顶部电连接，沿所述栅极结构的延伸方向上，所述源漏插塞包括相对的第一端和第二端，且所述源漏插塞包括相邻接的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一端一侧或位于所述第二端一侧，所述第一区域的源漏插塞顶部低于所述第二区域的源漏插塞顶部； 源漏盖帽层，位于所述第一区域的源漏插塞顶部，并覆盖所述第二区域的源漏插塞侧壁； 栅极插塞，位于所述源漏盖帽层之间且贯穿所述栅极结构顶部的介质层，所述栅极插塞与所述栅极结构顶部电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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