江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利Micro-LED外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210699021.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权Micro-LED外延片及制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED外延片的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上生长n型氮化物层；S2、在n型氮化物层上生长氮化物插入层，氮化物插入层包括依次生长的第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二n型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层；第二n型氮化物插入层的掺杂浓度大于第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层的掺杂浓度；S3、在氮化物插入层上生长氮化物量子阱发光层；S4、在氮化物量子阱发光层上生长p型氮化物层。本发明可极大改善高电流密度下外延片的ESD性能，提高发光效率，并呈现较佳漏电特性。
本发明授权Micro-LED外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.Micro-LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上生长n型氮化物层； S2、在所述n型氮化物层上生长氮化物插入层，所述氮化物插入层包括依次生长的第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二n型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层；所述第二n型氮化物插入层的掺杂浓度大于所述第一n型氮化物插入层、第一p型氮化物插入层、第二p型氮化物插入层和第三n型氮化物插入层的掺杂浓度；所述第二p型氮化物插入层在正向电压的情况下对所述第二n型氮化物插入层的电子注入进行抵制缓冲； S3、在所述氮化物插入层上生长氮化物量子阱发光层； S4、在所述氮化物量子阱发光层上生长p型氮化物层。
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