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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115189332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110355694.0，技术领域涉及：H02H5/04；该发明授权一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备是由丁利强;蔡小五;郝宁;夏瑞瑞;高马利;高悦欣;吴飞彤;刘海南;赵发展设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备，温保护电路包括：使能控制模块、温度检测模块及信号整形模块；使能控制模块与温度检测模块连接，温度检测模块与信号整形模块连接；其中，使能控制模块输入使能信号至温度检测模块，以控制温度检测模块的开启和关闭；所述温度检测模块开始工作后，当环境温度超过设定的温度阈值时，所述温度检测模块输出翻转电压信号至所述信号整形模块；所述信号整形模块可以基于所述电压信号控制与所述过温保护电路连接的芯片电路。该发明的过温保护电路与现有的过温保护技术相比在降低电路功耗的同时，提高了温度检测精度，进一步拓展了其应用范围。

本发明授权一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种过温保护电路，其特征在于，所述电路包括： 使能控制模块、温度检测模块及信号整形模块； 所述使能控制模块与所述温度检测模块连接，所述温度检测模块与所述信号整形模块连接；其中，所述使能控制模块输入使能信号至所述温度检测模块，以控制所述温度检测模块的开启和关闭；所述温度检测模块开始工作后，当环境温度超过设定的温度阈值时，所述温度检测模块输出翻转电压信号至所述信号整形模块；所述信号整形模块基于所述电压信号控制与所述过温保护电路连接的芯片电路； 所述温度检测模块包括： 偏置电流产生单元与检测单元； 所述偏置电流产生单元与所述检测单元连接，为所述检测单元提供偏置电流； 所述偏置电流产生单元，包括： 第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一三极管、第一电容及第一电阻； 所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源极与电源端连接，所述第二PMOS管漏极和栅极、所述第三PMOS管的栅极及所述第三NMOS管的漏极相互连接作为所述偏置电流产生单元的第一输出端与所述检测单元的第一输入端连接，所述第三NMOS管的栅极与所述使能控制模块的第一输出端连接，所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第一三极管的集电极和所述第三PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极与所述第一三极管的基极、所述第二NMOS管的漏极及所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的一端连接作为所述偏置电流产生单元的第二输出端与所述检测单元的第二输入端连接，所述第一电容的另一端、所述第二NMOS管的源极及所述第一三极管的发射极接地； 所述检测单元，包括： 第四PMOS管、第五PMOS管、第八PMOS管、第二三极管及第二电阻； 所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极与电源端连接，所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极连接作为所述检测单元的第一输入端与所述偏置电流产生单元的第一输出端连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源极连接，所述第八PMOS管的栅极、所述第五PMOS管漏极及所述第二三极管的基极相互连接作为所述检测单元的输出端与所述信号整形模块的输入端连接，所述第八PMOS管的漏极、所述第二电阻的一端及所述第二三极管的基极相互连接，所述第二三极管的发射极和所述第二电阻的另一端接地。

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