通快光电器件有限公司A·魏格尔获国家专利权
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龙图腾网获悉通快光电器件有限公司申请的专利密集型封装的VCSEL阵列、包括VCSEL阵列的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210553949.9，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权密集型封装的VCSEL阵列、包括VCSEL阵列的半导体器件及其制造方法是由A·魏格尔;A·普鲁伊姆布姆设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本密集型封装的VCSEL阵列、包括VCSEL阵列的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本披露内容涉及垂直腔表面发射激光器VCSEL领域，并且特别地涉及一种包括垂直腔表面发射激光器VCSEL阵列的半导体器件1以及一种用于制造包括垂直腔表面发射激光器VCSEL阵列的半导体器件的方法，其中，所述半导体器件包括：具有第一有源区域的第一VCSEL；具有第二有源区域的第二VCSEL；连接所述第一VCSEL和所述第二VCSEL的桥；其中，所述第一VCSEL的第一有源区域和所述第二VCSEL的第二有源区域沿第一晶轴布置；布置在所述第一VCSEL与所述第二VCSEL之间的阻挡结构，其中，所述阻挡结构适于阻挡缺陷沿所述第一晶轴在所述第一VCSEL与所述第二VCSEL之间传播。
本发明授权密集型封装的VCSEL阵列、包括VCSEL阵列的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件1，所述半导体器件包括垂直腔表面发射激光器10,11,12,13VCSEL阵列，其中，所述半导体器件包括： -第一VCSEL10，所述第一VCSEL具有第一有源区域20； -第二VCSEL11，所述第二VCSEL具有第二有源区域21； -桥31,31’，所述桥连接所述第一VCSEL和所述第二VCSEL； 其中，所述第一VCSEL的第一有源区域和所述第二VCSEL的第二有源区域沿第一晶轴2布置；以及 -阻挡结构41，所述阻挡结构布置在所述第一VCSEL10与所述第二VCSEL11之间，其中，所述阻挡结构适于阻挡缺陷沿所述第一晶轴2在所述第一VCSEL与所述第二VCSEL之间传播， 其中，连接所述第一VCSEL10和所述第二VCSEL11的桥31围绕所述阻挡结构41的一侧弯曲，从而在所述阻挡结构41在垂直于所述第一晶轴2的方向上的顶端处形成窄尖端。
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