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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种基于SRAM的存算一体电路单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210981583.5，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种基于SRAM的存算一体电路单元是由张章;孙德凯;陈思锴设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SRAM的存算一体电路单元在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于SRAM的存算一体电路单元。该单元由一个标准的6管SRAM和额外的6个PMOS组成，其中，标准的6管SRAM用于存储信息，额外的6个PMOS负责将外部信号与内存存储的信息进行单比特乘加运算，从而高速、稳定地实现单比特神经网络。本发明能够加快单比特神经网络的速度，减少单比特神经网络的功耗。

本发明授权一种基于SRAM的存算一体电路单元在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM的存算一体电路单元，包括一个6管SRAM和6个PMOS组成的计算部分，其特征在于： 所述的一个6管SRAM，包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3、NMOS晶体管N4、PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2； 所述的6个PMOS组成的计算部分，包括PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6、PMOS晶体管P7、PMOS晶体管P8； 其中： PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N3构成第一个反相器，PMOS晶体管P2和NMOS晶体管N4构成第二个反相器，这两个反相器交叉耦合构成一个锁存器； PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极电连接于存储节点Q，PMOS晶体管P2的漏极与NMOS晶体管N4的漏极电连接于存储节点QB； PMOS晶体管P1的源极与PMOS晶体管P2的源极电连接于电源；NMOS晶体管N3的源极与NMOS晶体管N4的源极电连接于地； NMOS晶体管N1的源极与左列位线BL电连接，NMOS晶体管N1的栅极与字线WL电连接，NMOS晶体管N1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极电连接； NMOS晶体管N2的源极与右列位线BLB电连接，NMOS晶体管N2的栅极与字线WL电连接，NMOS晶体管N2的漏极与NMOS晶体管N4的漏极电连接； PMOS晶体管P3的源极与PMOS晶体管P4的源极电连接于节点R，PMOS晶体管P3的栅极与NMOS晶体管N1的漏极电连接，PMOS晶体管P3的漏极与线RBL电连接，PMOS晶体管P4的栅极与NMOS晶体管N2的漏极电连接，PMOS晶体管P4的漏极与线RBLB电连接； PMOS晶体管P5的源极与PMOS晶体管P6的源极电连接于节点RB，PMOS晶体管P5的栅极与PMOS晶体管P4的栅极电连接，PMOS晶体管P5的漏极与线RBL电连接，PMOS晶体管P6的栅极与PMOS晶体管P3的栅极电连接，PMOS晶体管P6的漏极与线RBLB电连接； PMOS晶体管P7的源极与电源电连接，PMOS晶体管P7的栅极与线IL电连接，PMOS晶体管P7的漏极与节点R电连接； PMOS晶体管P8的源极与电源电连接，PMOS晶体管P8的栅极与线ILB电连接，PMOS晶体管P8的漏极与节点RB电连接。

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