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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210374093.9，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管及制备方法是由李正平;孙扬设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管及制备方法，包括：S1：对基底进行疏水化处理；S2：通过气相沉积法生长石墨烯；S3：将石墨烯转移到基底上；S4：进行烘干、除胶、清洗和除杂处理；S5：设置反应槽并将反应槽粘贴至石墨烯上方；S6：在紫外箱中进行固化，获得石墨烯场效应晶体管，本发明利用正十八烷基三氯硅烷OTS在玻璃基板上自组装形成疏水膜，有效地阻止了溶液环境中的液体从石墨烯表面到石墨烯与基底之间的扩散，克服了水膜的形成。

本发明授权高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.高稳定性液栅型石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述石墨烯场效应晶体管通过以下制备方法制备而成，所述制备方法包括： S1：对基底进行疏水化处理； S2：通过气相沉积法生长石墨烯； S3：将石墨烯转移到基底上； S4：进行烘干、除胶、清洗和除杂处理； S5：在基底上方设置反应槽，并将反应槽粘贴至石墨烯上方，形成具备反应槽的石墨烯场效应晶体管； S6：将S5中的具备反应槽的石墨烯场效应晶体管在紫外箱中进行固化处理； 所述S1具体包括： S11：将基底、试管和镊子进行烘干处理； S12：将试管做避光处理； S13：配置疏水剂溶液； S14：将基底放入疏水剂溶液中反应； S15：用甲苯，丙酮，乙醇和去离子水依次冲洗基底后烘干； 所述S13中疏水剂溶液包括但不限于1％浓度的正十八烷基三氯硅烷的甲苯溶液； 所述S14中反应时间为20-40分钟； 所述S15中烘干温度为80℃-120℃，烘干时间为1-2小时； 所述S3中转移方法为通过湿法转移进行石墨烯的转移，转移过程中保持石墨烯完整覆盖玻璃沟道并均匀的搭在两端的ITO电极上； 所述石墨烯场效应晶体管为用于检测核酸分子的高灵敏生物传感器，经正十八烷基三氯硅烷疏水改性后，所述石墨烯场效应晶体管的石墨烯基底的液体接触角从20-30度变为100-110度，其狄拉克点最大左移量小于3mV。

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