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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体有限公司申请的专利一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211129937.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法是由李明山;袁松;乔庆楠;彭强;钮应喜;史田超;夏小丹;李晓东;潘辉设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法，基于两次自对准工艺，分别完成SiCMOSFET的沟道自对准，接触孔的自对准和接触钝化的自对准，与传统的SiCMOSFET制程相比，可以减少三张光罩板和三次光刻，可以避免由于光刻对准造成的沟道不对称偏位，接触孔偏位，并且可以降低元胞的设计尺寸，降低SiCMOSFET的比导通电阻，提升产品性能及成品率。

本发明授权一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1、基于掩膜Ⅰ对SiC外延层进行离子注入形成P-WELL区； S2、在掩膜Ⅰ的两侧自对准形成N-PLUS注入掩膜并进行离子注入，在P-WELL区内形成N-PLUS接触源区，N-PLUS接触源区与P-WELL区的注入间距形成沟道； S3、去除SiC外延层上的所有掩膜，基于掩膜Ⅱ对SiC外延层并进行离子注入，形成P-PLUS接触源区； S4、去除掩膜Ⅱ，在SiC外延层上沉积碳膜，通过高温退火对注入的离子进行激活； S5、去除碳膜后对晶片表面进行牺牲氧化，形成牺牲氧化层，去除牺牲氧化层后，沉积场氧层，并在场氧层上形成场氧图形，露出有源区的SiC层，对SiC进行高温氧化，在有源区形成栅氧层，再依次沉积多晶硅栅层及ILD介质层； S6、在ILD介质层上形成栅极掩膜层，依次刻蚀栅极之外ILD介质层及多晶硅栅层，去除栅极掩膜层； S7、在多晶硅栅层的两侧自对准形成侧墙绝缘层，刻蚀侧墙绝缘层侧边的栅氧层； S8、在侧墙绝缘层侧边进行Ni金属的淀积，并通过RTA退火形成硅化物接触，在源极欧姆接触合金上表面、ILD介质层上表面进行金属加厚淀积，对金属层进行光刻刻蚀后，形成栅极和源极； S9、在衬底的背面形成漏极； N-PLUS注入掩膜的形成方法具体如下： 掩膜层Ⅰ为多晶硅时，将带掩膜层Ⅰ的晶片在800-1200℃的温度下进行高温氧化，使多晶硅掩膜表面和侧壁氧化形成SiO层，即为自对准形成的N-PLUS注入掩膜。

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